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南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管
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上架日期:2022-07-14 14:52:14
产地:上海
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详细说明

    南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管

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    南麟NP2300 20V N沟道增强型MOSFET管


    描述

    NP2300采用先进的沟槽技术

    提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高

    超低导通电阻密度电池设计。这

    该装置适合用作负载开关或PWM

    应用。

    一般特征

     VDS=20V,ID=5A RDS(开)(典型)=3200万Ω @VGS=2.5V

    RDS(开启)(典型)=2600万Ω @VGS=4.5V

     高功率和电流处理能力

     获得无铅产品

     表面贴装封装

    应用

     PWM应用

     负荷开关

    包裹

     SOT-23

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