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南麟NP3400 30V N沟道增强型MOSFET管
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上架日期:2022-07-15 17:08:28
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    30V N沟道增强型MOSFET

    30V N沟道增强型MOSFET

    30V N沟道增强型MOSFET


    描述 NP3400B采用先进的沟槽技术 提供出色的RDS(上) 五世 低栅极电荷和高 超低导通电阻的密度单元设计。这 器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。 一般特征 DS =30V,ID R =5A DS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V RDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS 高功率和电流处理能力 =4.5V 收购无铅产品 表面贴装封装 应用  PWM应用 负荷开关

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