NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
描述
NP4N10MR采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高
超低导通电阻密度电池设计。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
VDS=100V,ID=4A RDS(开)(典型值)=110mΩ @VGS=10V
RDS(开)(典型值)=150mΩ @VGS=4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
包裹
SOT-23-3L
示意图
D G S
标记和针脚分配