4英寸硅基氮化镓外延片生产商GaN-on-Si Power HEMT
苏州恒迈瑞公司生产供应4英寸硅基氮化镓外延片及4英寸碳化硅基氮化镓外延片。硅基氮化镓外延片可应用于D-mode/E-mode/RF-HEMT，硅基衬底厚度675-1000 μm。碳化硅基氮化镓外延片RF HMET结构应用于微波电子器件，产品尺寸为4英寸-6英寸，碳化硅衬底为4H-SiC晶型，衬底厚度500um。氮化镓缓冲层厚度1.8um，氮化铝间隔层1nm。
同时我司也提供蓝宝石基氮化镓外延片，LED氮化镓外延片。
