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电力半导体器件
产品简介
IGBT模块LGM200HF120S4F1A
产品价格:
¥
上架日期:
2024-11-23 09:34:51
产地:
上海
发货地:
福建泉州市
供应数量:
不限
最少起订:
1个
浏览量:
2
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详细说明
陆芯新一代Trench Field-Stop技术的650V 10A~200A 系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A 系列IGBT、1700V系列IGBT;通过设计和优化器件的导通压降Vcesat,开关损耗Eon和Eoff,短路能力Tsc,达到更高功率密度,更优异性能,更强可靠性;完适应于新能源车,电机驱动,高频电源,感应加热等各类领域和行业需求。
特点和优势:
1.优化耐压终端环,实现IGBT高阻断电压,达到工业级和汽车级可靠性标准;
2.控制少子寿命,优化饱和压降和开关速度,实现安全工作区(SOA)和短路电流安全工作区SCSOA性能优;
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性,抑制IGBT的闩锁效应;
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺;实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A
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企业信息
福建安溪灿宏电子科技有限公司
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蔡电庆(先生)
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联系手机:
18016583065
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0595-26081615
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