西门子接口模块6ES7154-1AA01-0AB0 西门子接口模块6ES7154-1AA01-0AB0 西门子接口模块6ES7154-1AA01-0AB0
6ES7154-1AA01-0AB0
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6ES7193-6BP00-0BA0
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6ES7194-4AD00-0AA0
SIMATIC DP, 连接模块,用于 PROFIBUS 接口模块 ET 200 PRO;M12/7/8", 2个 M12 和 2个 7/8", 集成地址选择器 和终端电阻 用于 PROFIBUS DP
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接口模板用来处理ET 200pro和上位主站之间经过 PROFIBUS DP的通讯。
接口模板IM 154-1 和 IM 154-2高性能型,处理ET 200pro和上位主站之间经过 PROFIBUS DP的通讯。
接口模块:
用于DP接口模板的连接模板(需要另外订购):
所有连接模板反映了PROFIBUS地址,以及可反向分割的端接电阻,均可从外部观察和调整。
IM 154-2 DP高性能型接口模板用于PROFIsafe应用。
接口模板IM 154-1 和 IM 154-2高性能型,处理ET 200pro和上位主站之间经过 PROFIBUS DP的通讯。 对于 STEP 7 V5.3 SP2 及以上版本,还提供有一个硬件支持包。
可通过 GSD 文件集成到以前的版本中。
Article number |
6ES7154-1AA01-0AB0 |
6ES7154-2AA01-0AB0 |
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ET200PRO, IM 154-1 DP |
ET200PRO, IM154-2 DP HF |
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General inbation |
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Vendor identification (VendorID) |
8118H |
8119H |
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Supply voltage |
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Rated value (DC) |
24 V |
24 V |
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Reverse polarity protection |
Yes; against destruction |
Yes; against destruction |
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Short-circuit protection |
Yes; over exchangeable fuses |
Yes; over exchangeable fuses |
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Load voltage 2L+ |
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24 V |
24 V |
|
|
Yes; against destruction |
Yes; against destruction |
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Input current |
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from supply voltage 1L+, max. |
200 mA |
200 mA |
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Power loss |
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Power loss, typ. |
5 W |
5 W |
|
Address area |
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|
Addressing volume |
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244 byte |
244 byte |
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|
244 byte |
244 byte |
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Interfaces |
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Interfaces/bus type |
PROFIBUS DP |
PROFIBUS DP |
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Interface physics, RS 485 |
Yes |
Yes |
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PROFIBUS DP |
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|
|
Yes |
Yes |
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9.6 kbit/s |
9.6 kbit/s |
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|
12 Mbit/s |
12 Mbit/s |
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|
Yes |
Yes |
|
|
Yes |
Yes |
|
|
Yes |
Yes |
|
Interrupts/diagnostics/status inbation |
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Alarms |
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Yes; Parameterizable |
Yes; Parameterizable |
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Yes; Parameterizable |
Yes; Parameterizable |
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Diagnostics indication LED |
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Yes |
Yes |
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Yes |
Yes |
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|
Yes |
Yes |
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|
Yes |
Yes |
|
Parameter |
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DPV1 operation |
possible |
possible |
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Swapping interrupt |
Parameterizable |
Parameterizable |
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Startup if setpoint not equal to actual configuration |
Parameterizable |
Parameterizable |
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Hot swapping of modules |
possible |
possible |
|
Potential separation |
|
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between supply voltage and electronics |
Yes |
Yes |
|
Isolation |
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Isolation tested with |
707 V DC (type test) |
707 V DC (type test) |
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Degree and class of protection |
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Degree of protection acc. to EN 60529 |
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Yes |
Yes |
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Ambient conditions |
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Ambient temperature during operation |
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-25 °C |
-25 °C |
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|
55 °C |
55 °C |
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Ambient temperature during storage/transportation |
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-40 °C |
-40 °C |
|
|
70 °C |
70 °C |
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Dimensions |
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Width |
90 mm |
90 mm |
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Height |
130 mm |
130 mm |
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Depth |
60 mm |
60 mm |
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Weights |
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Weight, approx. |
375 g |
375 g |
图1.(RS485)和图2.(RS422)
图3.(RS485)和图4.(RS422)
图5.(RS485)和图6.(RS422)
图7.和图8.(RS485)
注意:
如果使用了超过 50m 的 RS485 连接线或 RS422 连接线,需要加约 330Ω 的终端电阻。
CM 1241 和 CB 1241 的模块使用其它的终端电阻。
终端和偏置在 RS485 网络的两端设置,中间的设备不需要增加终端和偏置。
ET200SP CM PtP
图1 .显示了 RS485 接口通讯的端子分配。
图. 1
图 2.显示了 RS422 接口通讯的端子分配。
S7-1500 CM PtP RS485/RS422 BA/HF, CP 340,CP341,CP440, CP 441-1 和 CP 441-2 通讯模块的 RS485 和 RS422 接口连接
图 3.显示了 RS485 接口通讯的端子分配
图. 3
图 4.显示了 RS422 接口通讯的端子分配
图. 4
ET200S 1SI
使用 RS 485 公头连接器可以在一个 RS485 网络中连接多个设备,连接器可以在终端网络选择终端电阻。更多的信息参考下列链接中 S7-1200 手册的第13.2 章节。
连接终端电阻时,将 TRA 和 TA 短接,TRB 和 TB 短接。
描述
“技术数据” 和下表给出的 SIMATIC S7 存储卡(SMC)的规范:
订货号
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产品
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最小删除/写操作次数 |
最小数据保持时间 (最后一次编程之后) |
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6ES7954-8LB01-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 2 MB |
500,000 |
10 年1) |
6ES7954-8LC01-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 4 MB | 500,000 |
10 年1) |
6ES7954-8LC02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 4 MB | 500,000 | 10 年1) |
6ES7954-8LE01-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 12 MB | 500,000 | 10 年1) |
6ES7954-8LE02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 12 MB | 500,000 | 10 年1) |
6ES7954-8LF01-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 24 MB | 500,000 | 10 年1) |
6ES7954-8LF02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 24 MB | 500,000 | 10 年1) |
6ES7954-8LL02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 256 MB | 200,000 | 10 年2) |
6ES7954-8LP01-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 2 GB | 100,000 | 10 年5) |
6ES7954-8LP02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 2 GB | 60,000 | 10 年3) |
6ES7954-8LT02-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 32 GB | 50,000 | 10 年4) |
6ES7954-8LT03-0AA0 | SIMATIC Memory Card, 32 GB | 100,000 | 10 年5) |
1)如果删除/写操作次数 <50,000 则为10 年(如果删除/写操作次数 > 450,000 则为1 年)
2)如果删除/写操作次数 < 20,000 则为10 年( 如果删除/写操作次数 > 180,000 则为1 年)
3)如果删除/写操作次数 < 6,000 则为10 年( 如果删除/写操作次数 > 54,000 则为1 年)
4)如果删除/写操作次数 < 5,000 则为10 年( 如果删除/写操作次数 > 45,000 则为1 年)
5)如果删除/写操作次数 < 10,000 则为10 年( 如果删除/写操作次数 > 90,000 则为1 年)
最大的删除和写操作重复次数的 10% 规则适用于所有的 SMC 卡。
例如,对于 32GB 的 SMC 卡 ( 6ES7 954-8LT03-0AA0 ),
如果删除/写操作小于 10,000 次,那么该存储卡的最小服务生命周期是 10 年。但是如果删除/写操作超过 90,000 次,那么该存储卡的服务生命周期最小只有 1 年。
计算 32 GB SMC存储卡 (6ES7 954-8LT03-0AA0) 的服务生命周期
以下说明了 32 GB 的西门子存储卡的可写容量。
计算 SMC 卡的写容量,如下:
存储卡大小
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||||
可写容量 | = | ------------------------------------- | * | 删除/写操作的最小次数 |
内部元数据总计 |
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举例 32 GB SD 卡: | ||||
32,000,000,000 字节 | ||||
可写容量 | = | --------------------------------- | * | 100,000 |
100 | ||||
可写容量 | = | 32 TB |
下面计算 32 GB SMC 存储卡的服务生命周期:
实例 1
如果每秒将 160 个字节的数据块写入到该卡中,那么该卡的服务生命周期是:32 TB / 160 bytes/s = 200,000,000,000 秒 (理论上 6334 年,假设 1 年 = 365.24 天)。
实例 2
如果每秒将 160 KB 的数据记录 (csv) 写入到该卡中,那么该卡的服务生命周期是:32 TB / 160 KB/s = 200,000,000 秒 (理论上 6.34 年)。
注意:
这里忽略了诸如在微软Windows中编写和删除操作和下载项目的操作,因为这些操作不会像上述操作那样频繁发生。
当超过存储卡的最小服务生命周期的 80% 时,S7-1500 CPU 的诊断缓冲区会显示一条信息。另外,当达到存储卡的最小服务生命周期的 100% 时,MAINT 指示灯也会亮起。
如果 S7 - 1500 CPU 模块的固件版本小于 V2.0,下面的 SMC 卡不支持此功能:
32 GB (订货号 6ES7 954-8LT03-0AA0)
固件版本 V2.1和 更高的 S7-1500 CPU 模块可以使用 “getsmcinfo” 块。此块可以在定义的服务生命期超过时显示诊断条目。 该块提供访问用户程序中的下列信息:
在集约使用的情况下(例如配方和归档),可以评估 SMC 的服务生命周期信息,并在相应的时间作为维修计划的一部分,相应地更换它。
表中列出的块对 SMC 有读/写访问权:
Block | Name | Debion |
---|---|---|
FB | SET_TIMEZONE | 设置时区 |
SFC 84 | WRIT_DBL | 将数据写入到装载存储器的数据块中 |
SFC 84 | CREATE_DB | 创建数据块 |
SFC 95 | DELETE_DB | 删除数据块 |
SFB 140 | DataLogCreate | 创建数据记录 |
SFB 142 | DataLogWrite | 写入数据记录 |
SFB 143 | DataLogClear | 清空数据记录 |
SFB 144 | DataLogClose | 关闭数据记录 |
SFB 145 | DataLogDelete | 删除数据记录 |
SFB 147 | DataLogOpen | 打开数据记录 |
SFB 148 | DataLogNewFile | 新文件中的数据记录 |
SFB 1003 | RecipeExport | 导出配方 |
注意
如果循环调用表中列出的块,可以显著缩短 SMC 的使用寿命