性能特点：
替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM，采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗，600V:Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V， 1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V，优化上温度传感器 ，新的结线技术显著改善功率循环，兼容现有V系列小封装 ，SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选），V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20%，（PM300DV1A120与PM300DVA120相比较）。
应用领域：
高端通用变频器、伺服电机驱动器等
