制造商 | Toshiba | |
产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 | |
封装 | SOP-4 | |
包装 | 3000PCS/REEL |
由于使用了S06封装,TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄,而且能在高温下正常工作(Ta = 110度最大值)。
TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。能轻易用这些产品代替现在的这些型号,因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。而且,由于更轻薄,这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。
因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米,而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。所以这些产品的最大允许操作隔离电压为 707 Vpk,EN60747-5-2中已明确规定过。 所以,TLP184 和 TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781,TLP785等)。而且,这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米,而且属于加强绝缘种类,符合国外安全标准。
因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准,所以他们非常适合AC适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。
项目 | 符号 | 单位 | 测试 条件 |
TLP180 / TLP181 | TLP184 / TLP185 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
正向电压 | VF | V | IF=10mA | 1 | 1.15 | 1.3 | 1.1 | 1.25 | 1.4 |
集电极暗电流 | ICEO | μA | VCE=48V | - | 0.01 | 0.1 | - | 0.01 | 0.08 |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | V | IC=0.5mA | 80 | - | - | 80 | - | - |
集电极--发射极击穿电压 | V(BR)ECO | V | IE=0.1mA | 7 | - | - | 7 | - | - |
电流传输比 | IC/IF | % | IF=5mA, VCE=5V |
50 | - | 600 | 50 | - | 400 |
饱和CTR | IC/IF(sat) | % | IF=1mA, VCE=0.4V |
- | 60 | - | - | 60 | - |
饱和CTR, GB档产品 | 30 | - | - | 30 | - | - | |||
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | V | IC=2.4mA, IF=8mA |
- | - | 0.4 | - | - | 0.3 |
集电极-发射极饱和电压, GB档 |
IC=0.2mA, IF=1mA |
- | - | 0.4 | - | - | 0.3 | ||
断开的集电极电流 | IC(off) | μA | VF=0.7V, VCE=48V |
- | - | 10 | - | 1 | 10 |
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