MOCVD\/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片

MOCVD\/HVPE生长硅\/碳化硅\/蓝宝石基氮化镓（GaN）薄膜片

碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制备，可定制

N型、P型、半绝缘型4H-SiC单晶切割、抛光、超薄衬底片，可定制

III-V族直接带隙半导体：导电型与半绝缘型氮化镓（GaN）衬底

外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片

单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片

宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片

III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型

N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片