三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光

（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片

外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片

单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片

宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片

III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型

N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片

N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片

蓝宝石\/硅\/碳化硅基氮化镓（GaN）外延片：LED，LD，HEMT应用

常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用

三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光

（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片

外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片

单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片

宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片

III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型

N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片

N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片

蓝宝石\/硅\/碳化硅基氮化镓（GaN）外延片：LED，LD，HEMT应用

常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用

三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光

（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片